Saphir d'usinage de précision personnalisé en usine

Brève description:

Matériel: Saphir
Couleur: Transparent Clair
Spécification : Personnalisation
Emballage : Boîte en papier

Détail du produit

Mots clés du produit

Le saphir a une dureté de Mohs 9, juste derrière le diamant, et présente une bonne résistance à l'usure.En même temps, il présente une excellente stabilité chimique et peut résister à la corrosion de presque toutes les substances acides et alcalines.De plus, la résistance maximale à la température du saphir est de 2060 ℃.En raison des avantages ci-dessus du saphir, le saphir est utilisé dans les instruments et équipements, ce qui peut améliorer considérablement la durée de vie et résister à divers environnements difficiles.
Les pièces de précision en saphir ont souvent des exigences de forme complexes et des exigences d'étanchéité précises.Nous pouvons personnaliser différentes formes selon les dessins des clients.Nous disposons d’équipements de découpe, de meulage, de polissage et de test de précision pour garantir que chaque produit répond aux exigences strictes des clients.

Principales méthodes de formage

Propriétés matérielles

Le saphir est un oxyde d'aluminium monocristallin (Al2O3).C'est l'un des matériaux les plus durs.Le saphir présente de bonnes caractéristiques de transmission sur le spectre visible et proche infrarouge.Il présente une résistance mécanique, une résistance chimique, une conductivité thermique et une stabilité thermique élevées.Il est souvent utilisé comme matériau de fenêtre dans des domaines spécifiques tels que la technologie spatiale, où une résistance aux rayures ou aux températures élevées est requise.

Formule moléculaire	Al₂O₃
Densité	3,95-4,1 g/cm³
Structure en cristal	Treillis Hexagonal
Structure en cristal	a =4,758Å , c =12,991Å
Nombre de molécules dans la cellule unitaire	2
Dureté de Mohs	9
Point de fusion	2050 ℃
Point d'ébullition	3500 ℃
Dilatation thermique	5,8×10-6 /K
Chaleur spécifique	0,418 Ws/g/k
Conductivité thermique	25,12 W/m/k (@ 100 ℃)
Indice de réfraction	non =1,768 ne =1,760
jn/dt	13x10 -6 /K (@633nm)
Transmission	T≈80 % (0,3～5μm)
Constante diélectrique	11,5(∥c), 9,3(⊥c)